財聯社（上海，編輯黃君芝）訊，近日，IBM和三星公布了一種新的半導體芯片設計，自稱這種設計可以延續摩爾定律。這一突破性的架構將允許垂直電流流動的晶體管嵌入到芯片上，從而產生更緊湊的設備，并為智能手機長周期運行等鋪平了道路。

據悉，新的垂直傳輸場效應晶體管（VTFET）設計旨在取代當前用于當今一些最先進芯片的FinFET技術，從本質上講，新設計將垂直堆疊晶體管，允許電流在晶體管堆疊中上下流動，而不是目前大多數芯片上使用的左右水平布局。

根據IBM的說法，這種新的垂直結構允許在空間中裝入更多的晶體管，同時還可以影響它們之間的接觸點，以提高電流并節約能源。該公司表示，該設計可能會使性能翻倍，或者減少85%的能源消耗。

IBM已經生產了帶有這種新的VTFET架構的測試芯片，并設想它在許多領域扮演著改變游戲規則的角色。隨著物聯網的持續發展，這些芯片可以讓海洋浮標和自動駕駛汽車等設備以更少的能源運行，并可能對加密貨幣挖礦等能源密集型計算過程產生類似的影響，降低其碳足跡。

此外，根據IBM的說法，它還可以讓宇宙飛船更高效，甚至讓智能手機電池在不充電的情況下使用一周而不是幾天。

IBM研究院混合云和系統副總裁Mukesh Khare博士說，“今天的技術聲明是關于挑戰傳統，重新思考我們如何繼續推進社會，并提供新的創新，以改善生活、業務和減少我們的環境影響。”

“考慮到該行業目前在多個方面面臨的限制，IBM和三星正在展示我們在半導體設計方面的聯合創新的承諾，并共同追求我們所說的‘硬技術’。”他補充說。

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