6月21日，據臺灣媒體報道，臺亞半導體正在以IDM模式進軍第三代半導體產業，今年一季度已試產氮化鎵，明年試產碳化硅，合計年產能約10萬片。

據臺亞半導體宣布，他們將在中國臺灣銅鑼擴建6吋碳化硅晶圓廠和8吋、12吋氮化鎵晶圓廠，以及后段的測試、封裝廠。

(資料圖)

目前臺亞銅鑼新廠的投資規模尚未公布，但預估僅土建部分的投資將達數十億臺幣（10億臺幣約為2.3億人民幣），建廠用地達4公頃，預計在2026年初建成并投入生產。

碳化硅方面，臺亞將以子公司積亞半導體為切入點——加強SiC外延及SiCMOSFET的生產制造，預計在2023年第四季前完成6吋碳化硅月產能3000片的建設，2024年第一季試產，后續產能將提升至每月5000片。

2021年12月，臺亞半導體投資近6900萬人民幣，成立全資子公司積亞半導體，而積亞于2022年2月、4月對外透露了2次SiC投資信息：

●2022年2月，積亞半導體擬投資30億元新臺幣（約6.8億人民幣）用于建設碳化硅等項目，將專注于生產碳化硅SBD、碳化硅MOSFET。

●2022年8月，積亞半導體宣布將投資額增加到45億新臺幣（約10.2億人民幣），以擴大SiC功率器件產能。

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在氮化鎵（GaN-on-Si）方面，臺亞計劃廠房建置初期以6吋晶圓為主，充分利用現有6吋生產設備，并增置關鍵MOCVD設備；8吋產線將在2023年底完成建設，目前設備型號已經敲定（采用臺灣本土設備比率達40％）。

臺亞總經理衣冠君表示，該氮化鎵廠將是全球少見的先進功率器件廠，預計在2024年底之前達成每月3000片的出貨量，產品將聚焦于快充、電動汽車、無人機等應用。

近期，臺亞已完成第一顆650V D-mode HEMT的開發，并進行送樣驗證。他們預期在少量代工單生產之下，氮化鎵有望在今年開始貢獻營收。衣冠君認為，明年公司氮化鎵營收提升至30％的目標有望達成。

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